| 发明名称 | 一种硅基GaN外延生长结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种硅基GaN外延生长结构，包括硅衬底、缓冲层、第一N型GaN层、第二N型GaN层、多量子阱层、第一P型GaN层和第二P型GaN层，所述缓冲层覆盖在硅衬底上，第一N型GaN层覆盖在缓冲层上，第二N型GaN层覆盖在第一N型GaN层上，多量子阱层覆盖在第二N型GaN层上，第一P型GaN层覆盖在多量子阱层上，第二P型GaN层覆盖在第一P型GaN层上。本实用新型的结构具有高可靠性、高亮度的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN203367337U | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201320411968.4 | 申请日期 | 2013.07.11 |
| 申请人 | 四川海金汇光电有限公司 | 发明人 | 罗锦贵 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人 | 冉鹏程 |
| 主权项 | 一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：包括硅衬底（7）、缓冲层（6）、第一N型GaN层（5）、第二N型GaN层（4）、多量子阱层（3）、第一P型GaN层（2）和第二P型GaN层（1），所述缓冲层（6）覆盖在硅衬底（7）上，第一N型GaN层（5）覆盖在缓冲层（6）上，第二N型GaN层（4）覆盖在第一N型GaN层（5）上，多量子阱层（3）覆盖在第二N型GaN层（4）上，第一P型GaN层（2）覆盖在多量子阱层（3）上，第二P型GaN层（1）覆盖在第一P型GaN层（2）上。 | ||
| 地址 | 629300 四川省遂宁市创新工业园区 | ||