发明名称 三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法
摘要 本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法,其方法包括:将白钨酸溶于过氧化氢水溶液,配制成过氧化钨酸溶液;将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上;将钨盐溶于醇中,形成前躯体溶液,将导电基底固定于反应釜中,将前躯体溶液加入反应釜中,在150~250℃反应8~16h,取出后再在300~450℃热处理1~3h,得到三氧化钨纳米线阵列;将苯胺与稀硫酸混合,形成用于制备聚苯胺的电解液,电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便,制造成本较低,易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。
申请公布号 CN103469272A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310399141.0 申请日期 2013.09.04
申请人 浙江大学 发明人 王秀丽;蔡国发;周鼎;谷长栋;涂江平
分类号 C25D9/02(2006.01)I;C08G73/02(2006.01)I;C09K9/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I 主分类号 C25D9/02(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将白钨酸溶于过氧化氢水溶液,加水配制成含钨浓度为1~5mol/L的过氧化钨酸溶液;2)将步骤1)中的过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上,得到覆盖有晶种层的导电基底;3)将钨盐溶于醇中,形成前躯体溶液,将步骤2)中的覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中,将前躯体溶液加入反应釜中,在150℃~250℃反应8h~16h,取出后再在300℃~450℃热处理1h~3h,得到三氧化钨纳米线阵列;4)将苯胺与稀硫酸混合,形成用于制备聚苯胺的电解液;5)将步骤3)中的氧化钨纳米线阵列为工作电极、Ag/AgCl电极为参比电极以及铂片电极为对电极,采用步骤4)中用于制备聚苯胺的电解液,在电化学工作站上用循环伏安的方法电聚合聚苯胺,得到三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号