Cr-B-C纳米复合薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种Cr-B-C纳米复合薄膜的制备方法，包括基材和靶材的准备、基材离子清洗、薄膜制备三个步骤，选择合适的工艺参数，采用直流磁控和射频磁控共溅射，在基材上制备Cr-B-C纳米复合薄膜。本发明提供的方法可以在室温下沉积薄膜，大大降低了对基材选择的限制，并且Cr-B-C中金属Cr、非金属B和C的含量可以通过直流和射频磁控溅射靶功率进行调节，制备工艺简单，操作能动性好。

主权项

一种Cr‑B‑C纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）基材和靶材的准备：将基材打磨抛光并清洗吹干后装夹在载物台上，正对离子束源；将直流磁控靶材和射频磁控靶材分别安装到相应的仪器上，所述的直流磁控靶材、射频磁控靶材含有Cr、B或Cr、B、C元素；2）基材离子清洗：用Ar+离子束轰击基材，清洗和活化基材； 3）薄膜制备：通入高纯氩气或氩气和乙炔混合气体，采用直流磁控和射频磁控共溅射，在基材上制备Cr‑B‑C纳米复合薄膜，工艺参数为：气压4.0~5.0×10‑1Pa；直流磁控溅射功率50~150W；射频磁控溅射功率50~250W；负偏压0~100V；占空比20%~80%；载物台旋转速度0~100rpm；制备温度Rt~300℃；制备时间3~4h。