| 发明名称 | 一种实现光隔离的一维磁光子晶体 | ||
| 摘要 | 一种实现光隔离的一维磁光子晶体，其结构式是：[H/L]3/M/[L/H]7/M/[H/L]7/M/[L/H]3；其中：H是厚度为114.85nm的砷化镓薄膜；L是厚度为259.2nm的二氧化硅薄膜；M是厚度为158.68nm掺铈钇铁石榴石薄膜。本发明结构可在中心工作波长1550nm附近小范围内实现光隔离，且仅包含43层光学薄膜，降低了实际制备的难度。 | ||
| 申请公布号 | CN103472598A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310473372.1 | 申请日期 | 2013.10.12 |
| 申请人 | 太原理工大学 | 发明人 | 费宏明;武建加;杨毅彪;陈智辉;薛海斌;李琳 |
| 分类号 | G02F1/09(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人 | 戎文华 |
| 主权项 | 一种实现光隔离的一维磁光子晶体，包括一维磁光子晶体，其特征在于：所述一维磁光子晶体的结构式如下： [H/L]3/M/[L/H]7/M/[H/L]7/M/[L/H]3；其中：H是厚度为114.85nm的砷化镓薄膜；L是厚度为259.2nm的二氧化硅薄膜；M是厚度为158.68nm掺铈钇铁石榴石薄膜。 | ||
| 地址 | 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号 | ||