发明名称 |
一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器 |
摘要 |
一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。 |
申请公布号 |
CN103474503A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310461747.2 |
申请日期 |
2013.09.30 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
康俊勇;高娜;黄凯;陈雪;林伟;李书平;陈航洋;杨旭;李金钗 |
分类号 |
H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0248(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/101(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
刘勇 |
主权项 |
一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,其特征在于包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |