光电二极管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种光电二极管等，其中在不增加暗电流的情况下将光接收灵敏度扩展至近红外光的长波长的光电二极管。本发明的光电二极管特征在于提供有定位在InP衬底（1）上并具有II型多量子阱结构的光接收层（3），InGaAs层（3a）和GaAsSb层（3b）在II型多量子阱结构中交替层叠，并且具有使得InGaAs或GaAsSb的带隙能量在各个InGaAs层或各个GaAsSb层内朝向顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。

主权项

一种包含III‑V族化合物半导体的光电二极管，所述光电二极管包括：吸收层，所述吸收层定位在III‑V族化合物半导体衬底上，并且具有交替层叠第一半导体层和第二半导体层的II型多量子阱结构，其中所述第一半导体层具有所述第一半导体层的带隙能量朝向所述第一半导体层的顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。