发明名称 |
一种IGBT功率模块 |
摘要 |
本实用新型公开了一种IGBT功率模块,包括IGBT模块、IGBT散热器、直流滤波薄膜电容、IGBT交流引出铜排、正负复合母排、模块底架和电容托板;IGBT散热器固装在所述模块底架上,IGBT模块设置在所述IGBT散热器的内侧面上;正负复合母排固定设置在模块底架上;电容托板固装在模块底架上;直流滤波薄膜电容的一端与电容托板连接,另一端与正负复合母排连接;IGBT交流引出铜排固装在IGBT散热器的内侧面上,且该IGBT交流引出铜排与IGBT模块交流输出端相连接。本实用新型与现有IGBT功率模块相比不会产生直流纹波电流过大的问题,直流滤波薄膜电容散热性能好,使用寿命大大延长。 |
申请公布号 |
CN203368303U |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201320477441.1 |
申请日期 |
2013.08.06 |
申请人 |
北京能高自动化技术股份有限公司 |
发明人 |
王申平 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I;H02M1/14(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01L23/467(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
北京正理专利代理有限公司 11257 |
代理人 |
王德桢 |
主权项 |
一种IGBT功率模块,其特征在于:所述功率模块包括IGBT模块(1)、IGBT散热器(10)、直流滤波薄膜电容(8)、IGBT交流引出铜排(3)、连接直流滤波薄膜电容和IGBT模块的正负复合母排(5)、模块底架(6)和电容托板(7);所述IGBT散热器(10)固装在所述模块底架(6)上,IGBT模块(1)设置在所述IGBT散热器(10)的内侧面上;所述正负复合母排(5)固定设置在靠近IGBT模块(1)直流输出端(112)的模块底架(6)上;所述电容托板(7)固装在所述模块底架(6)上;所述直流滤波薄膜电容(8)的一端与所述电容托板(7)连接,另一端与所述正负复合母排(5)连接;所述IGBT交流引出铜排(3)固装在所述IGBT散热器(10)的内侧面上,且该IGBT交流引出铜排(3)与所述IGBT模块(1)交流输出端(111)相连接。 |
地址 |
100044 北京市海淀区上园村3号知行大厦6层 |