| 发明名称 | NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管 | ||
| 摘要 | NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管。一种NMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层内形成第一凹槽；填充所述第一凹槽，形成沟道结构；在所述沟道结构表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的碳化硅层内形成源/漏区。由于本发明所提供的NMOS晶体管的形成方法中，采用先在半导体衬底表面形成碳化硅层，然后再对所述碳化硅层进行刻蚀，在所述碳化硅层内形成与NMOS晶体管的沟道区所对应的第一凹槽，再对所述第一凹槽进行填充，形成沟道结构的方法制作NMOS晶体管，从而可以避免了现有技术中在对与源/漏区域所对应的凹槽进行碳化硅填充时，碳化硅的选择性生长较为困难的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103474351A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201210185001.9 | 申请日期 | 2012.06.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层内形成第一凹槽；填充所述第一凹槽，形成沟道结构；在所述沟道结构表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的碳化硅层内形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||