稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置

摘要

公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。

主权项

1.由以下化学式1表示的稠合多环杂芳族化合物：[化学式1]其中，在以上化学式1中，Ar为取代或未取代的C6-C30芳族环状基团，X¹-X⁴各自独立地为O、S、Se、Te、N-R^a或CR^b，其中R^a和R^b各自独立地为氢、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、其中R¹¹为取代或未取代的C6-C30芳基的取代或未取代的C6-C30芳氧基-OR¹¹、取代或未取代的C4-C30环烷基、其中R¹²为取代或未取代的C4-C30环烷基的取代或未取代的C4-C30环烷基氧基-OR¹²、取代或未取代的C2-C30杂芳基、其中R¹³为取代或未取代的C1-C30烷基的酰基-C(=O)R¹³、其中R¹⁴为取代或未取代的C1-C30烷基的磺酰基-S(=O)₂R¹⁴、或其中R¹⁵为取代或未取代的C1-C30烷基的氨基甲酸酯基-NHC(=O)OR¹⁵，X¹和X²的至少一个选自O、S、Se、Te和N-R^a，X³和X⁴的至少一个选自O、S、Se、Te和N-R^a，X⁵和X⁶各自独立地为O、S、Se、Te、N-R^a或CR^bR^c，其中R^a-R^c各自独立地为氢、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、其中R¹¹为取代或未取代的C6-C30芳基的取代或未取代的C6-C30芳氧基-OR¹¹、取代或未取代的C4-C30环烷基、其中R¹²为取代或未取代的C4-C30环烷基的取代或未取代的C4-C30环烷基氧基-OR¹²、取代或未取代的C2-C30杂芳基、其中R¹³为取代或未取代的C1-C30烷基的酰基-C(=O)R¹³、其中R¹⁴为取代或未取代的C1-C30烷基的磺酰基-S(=O)₂R¹⁴、或其中R¹⁵为取代或未取代的C1-C30烷基的氨基甲酸酯基-NHC(=O)OR¹⁵，和R¹-R⁶各自独立地为氢、卤素-F、-Cl、-Br或-I、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的直链或支链的C2-C30烯基、取代或未取代的直链或支链的C2-C30炔基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳基烷基、取代或未取代的C2-C30烷基杂芳基、取代或未取代的C5-C30环烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或者取代或未取代的C2-C30杂芳基。