发明名称 一种控温CVD炉及采用控温CVD炉可控制备单壁碳纳米管的方法
摘要 本发明涉及一种控温CVD炉及采用控温CVD炉可控制备单壁碳纳米管的方法,在炉内安置一对电极板,引入直流电场,在氩气或氮气等气氛下,使用含有二茂铁、羰基铁、噻吩、钼酸铵及金属镍、镁、钴、铁等一种或多种的混合物为催化剂,通过调节电场极板间距以及直流电压的大小来制备不同螺旋结构的单壁碳纳米管,其有着广阔的工业化生产应用前景。与现有技术的区别在于:传统制备半导体型或金属型单壁碳纳米管的方法大多数为后期将样品进行物理、化学分离,但其产量较低、过程繁琐且这些方法在分离的过程中易破坏单壁碳纳米管的结构。本发明采用内加电场的温控CVD炉,该反应容器能在不同温度和电场作用下生产出不同结构的单壁碳纳米管。
申请公布号 CN103466594A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310379783.4 申请日期 2013.08.27
申请人 西北工业大学 发明人 赵廷凯;李铁虎;赵星
分类号 C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种改进型的控温CVD炉,包括温度控制仪(1)、气体流量计(2)、石英舟(3)、电阻炉炉体(4)、石英管反应室(6)、气体洗瓶(7)和其热电偶(8);其特征在于还包括一对电极板(5);所述一对电极板设置在石英管反应室(6)的内部,且平行相对位于石英管反应室(6)的内壁上。
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