多排QFN封装结构和制作方法

摘要

本发明公开了一种多排QFN封装结构和制作方法，该方法包括以下步骤：在基材上涂布掩膜层，然后光照、显影，形成开口；在开口上电镀或化学镀，形成镀层；去除掩膜层；对基材一面进行半蚀刻；在基材另一面进行装片；键合；键合后，进行塑封；对半蚀刻的一面进行腐蚀，切断I/O之间的联系；腐蚀后对该面进行塑封，使镀层的表面裸露。本发明通过两次塑封实现多排QFN的制作。该方法可以用以键合和Flipchip（倒装芯片）的QFN。现有的通过两次塑封实现多排QFN的技术，第一次塑封在装片和键合之前，塑封料对装片和键合会产生影响。本发明两次塑封都在键合之后，通过采用本发明的制作方法，消除了塑封料对装片和键合的影响。

主权项

一种多排QFN封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S101：在基材上涂布掩膜层，然后光照、显影，形成开口；S102：在开口上电镀或化学镀，形成镀层；S103：去除掩膜层；S104：对基材一面进行半蚀刻；S105：在基材另一面进行装片；S106：键合；S107：键合后，进行塑封；S108：对半蚀刻的一面进行腐蚀，切断输入输出端口之间的联系；S109：腐蚀后对该面进行塑封，使镀层的表面裸露。