发明名称 |
铜线阵区域抛光后表面凹陷的测量单元及测量方法 |
摘要 |
本发明的一种铜线阵区域抛光后表面凹陷的测量单元及测量方法,其采用电学方式测量测试分区中蛇形盘绕金属线的电阻,并经由数学计算得到铜线阵区域的高度差,进而得到铜线阵区域抛光后表面凹陷的形貌。因此,本发明铜线阵区域抛光后表面凹陷的测量单元及测量方法在精确测量铜线阵区域抛光后表面凹陷的同时,又避免铜线阵的损伤。 |
申请公布号 |
CN103474370A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310419757.X |
申请日期 |
2013.09.13 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
黄仁东 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种铜线阵区域抛光后表面凹陷的测量单元,其特征在于,包括:电学测试模块,其包括n等分的测试分区,n为大于或等于5的整数且每个测试分区至少有m组互不重叠的蛇形盘绕金属线,m为大于或等于1的整数,其中,所述测试分区是从所述电学测试模块中心向外依次等间距划分的环形区域;量测引出线组,其包括内量测引出线组和外量测引出线组,其中,所述内量测引出线组位于所述电学测试模块内,且与所述蛇形盘绕金属线相连;所述外量测引出线组与所述电学测试接触区相连;量测模块,由n个电学测试接触区组成,其中,n为大于或等于1的整数;该电学测试接触区与电阻测量仪器的探针相接触,并通过所述量测引出线组于所述测试分区相接,以测量出所述测试分区的电阻,然后,再通过数学计算得到铜线阵区域的高度差,进而表征出铜线阵区域抛光后表面凹陷的形貌。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |