观测TSV铜晶粒的方法

摘要

本发明涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污，也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果，同时降低了观测设备的成本，提高观测结果的分辨率。

主权项

一种观测TSV铜晶粒的方法，其特征在于，包含以下步骤：采用离子束对待观测的硅通孔TSV电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的TSV电镀铜表面进行离子刻蚀；观察TSV电镀铜剖面，得到TSV铜晶粒形貌。