发明名称 一种TSV平坦化方法
摘要 本发明提供了一种TSV平坦化方法,包括以下步骤:第一步,采用机械刮平的方式,处理完成TSV电镀的晶圆表面,消除表面凸出或凹坑;第二步,采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式,减薄晶圆表面金属层;第三步,化学机械抛光,去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。本发明的优点是:本发明在电镀填充后采用机械刮平的方式处理表面,消除凸出、凹陷等局部平坦化问题,而后再结合电化学抛光和CMP,提供TSV平坦化解决方案,该方案采用三步的方式,可以补偿电镀的部分缺陷,降低对TSV电镀填充步骤的压力,同时也降低了CMP工艺的压力,可以提高成品率,降低总体制造成本。
申请公布号 CN103474395A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310419924.0 申请日期 2013.09.13
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 张文奇;顾海洋;宋崇申;于大全;上官东恺
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种TSV平坦化方法,其特征是,包括以下步骤:第一步,采用机械刮平的方式,处理完成TSV电镀的晶圆表面,消除表面凸出或凹坑;第二步,采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式,减薄晶圆表面金属层;第三步,化学机械抛光,去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。
地址 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
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