发明名称 |
一种TSV平坦化方法 |
摘要 |
本发明提供了一种TSV平坦化方法,包括以下步骤:第一步,采用机械刮平的方式,处理完成TSV电镀的晶圆表面,消除表面凸出或凹坑;第二步,采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式,减薄晶圆表面金属层;第三步,化学机械抛光,去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。本发明的优点是:本发明在电镀填充后采用机械刮平的方式处理表面,消除凸出、凹陷等局部平坦化问题,而后再结合电化学抛光和CMP,提供TSV平坦化解决方案,该方案采用三步的方式,可以补偿电镀的部分缺陷,降低对TSV电镀填充步骤的压力,同时也降低了CMP工艺的压力,可以提高成品率,降低总体制造成本。 |
申请公布号 |
CN103474395A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310419924.0 |
申请日期 |
2013.09.13 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
张文奇;顾海洋;宋崇申;于大全;上官东恺 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种TSV平坦化方法,其特征是,包括以下步骤:第一步,采用机械刮平的方式,处理完成TSV电镀的晶圆表面,消除表面凸出或凹坑;第二步,采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式,减薄晶圆表面金属层;第三步,化学机械抛光,去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 |