发明名称 METHOD FOR PATTERNING AN EPITAXIAL SUBSTRATE, A LIGHT EMITTING DIODE AND A METHOD FOR FORMING A LIGHT EMITTING DIODE
摘要 <p>에피택셜 기판의 패턴화 방법은, (a) 에피택셜 기판(3') 상에 에치 마스크층(201)을 형성하고, 에치 마스크층(201)을 복수의 이격된 마스크 패턴(202)으로 형성하도록 패턴화된 커버 마스크층(300)을 이용하여 에치 마스크층(201)을 패턴화하는 단계와, (b) 마스크 패턴(202)으로부터 노출되는 에피택셜 기판(3')을 에칭하고, 에피택셜 기판(3')이 복수의 이격된 기판 패턴(32)을 갖도록 형성되게 마스크 패턴(202)을 제거하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101344646(B1) 申请公布日期 2013.12.24
申请号 KR20120043610 申请日期 2012.04.26
申请人 发明人
分类号 H01L33/20;H01L33/22 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
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