| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements (300) mit einer elektrischen Durchkontaktierung (110) beschrieben. Das Verfahren umfasst dabei die Schritte:–Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (100) mit einer Vorderseite (101) und einer der Vorderseite (101) gegenüberliegenden Rückseite (102),–Erzeugen eines einen Kontaktbereich (103) ringförmig umschließenden Isolationsgrabens (121) auf der Vorderseite (101) des Halbleitersubstrats (100),–Auffüllen des Isolationsgrabens (121) mit einem Isolationsmaterial (122),–Erzeugen einer elektrischen Kontaktstruktur (130) auf der Vorderseite (101) des Halbleitersubstrats (100) durch Abscheiden eines elektrisch leitfähigen Materials im Kontaktbereich (103),–Abtragen des im Kontaktbereich (103) verbliebenen Halbleitermaterials (104) auf der Rückseite (102) des Halbleitersubstrats (100), um ein die Unterseite (134) der Kontaktstruktur (130) freigebendes Kontaktloch (111) zu erzeugen, und–Abscheiden eines metallischen Materials (114) in dem Kontaktloch (111), um die elektrische Kontaktstruktur (130) elektrisch mit der Rückseite (102) des Halbleitersubstrats (100) zu verbinden.</p> |
