NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTROLLING PROGRAM START VOLTAGE, PROGRAM METHOD THEREOF, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

摘要

본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는 테일 비트 메모리 셀들의 정보를 나타내는 테일 비트 플래그 정보를 저장하는 메모리 셀 어레이 및 프로그램 시작 전압을 제어하기 위한 테일 비트 제어기를 포함하고, 상기 테일 비트 제어기는 상기 테일 비트 플래그 정보에 응답하여, 노멀 메모리 셀들의 프로그램 시작 전압 및 상기 테일 비트 메모리 셀들의 프로그램 시작 전압을 독립적으로 조절하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 다르면, 테일 비트 메모리 셀로 인한 동작 오류가 방지되며, 프로그램 시간이 단축된다.