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<p>제1 산화인듐계 박막위와, 이 제1 산화인듐계 박막위에 적층된 제2 산화인듐계 박막을 가진 반사 방지막의 성막 방법으로서, 산소 가스, 수소 가스, 수증기의 군에서 선택되는 1종류, 2종류 또는 3종류를 포함한 제1 반응성 가스 중에서 제1 산화인듐계 타겟을 사용한 스퍼터링을 행함으로써 제1 산화인듐계 박막을 성막하는 제1 성막 공정과; 상기 제1 산화인듐계 박막위에 산소 가스, 수소 가스, 수증기의 군에서 선택되는 1종류, 2종류 또는 3종류를 포함하고 또한 상기 제1 반응성 가스와는 다른 조성의 제2 반응성 가스 중에서 제2 산화인듐계 타겟을 사용한 스퍼터링을 행함으로써 제2 산화인듐계 박막을 성막하는 제2 성막 공정:을 구비한다.</p> |
