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<p>본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스의 관통 전극 노출 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 화학적 기계적 폴리싱 공정없이 관통 전극을 노출시키는데 있다. 이를 위해 본 발명의 일 실시예는 반도체 다이의 전면에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀에 절연층을 개재하여 관통 전극을 충전하며, 상기 관통 전극이 노출되기 직전까지 상기 반도체 다이의 후면을 백그라인딩하는 단계; 상기 반도체 후면을 식각하여 상기 관통 전극 및 절연층이 노출 및 돌출되도록 하는 단계; 상기 반도체 다이의 후면 및 절연층의 표면에 무기층을 형성하는 단계; 상기 관통 전극의 외측과 대응하는 상기 무기층의 표면에 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 유기층을 마스크로 하여 상기 관통 전극의 상부와 대응하는 절연층 및 무기층을 식각하여 제거하는 단계로 이루어진 반도체 디바이스의 관통 전극 노출 방법 및 그 구조를 개시한다.</p> |
