Verfahren zum Herstellen eines Bauelements mit einer elektrischen Durchkontaktierung

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils (300) mit einer elektrischen Durchkontaktierung (110) beschrieben, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: – Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (100) mit einer Vorderseite (101) und einer der Vorderseite (101) gegenüberliegenden Rückseite (102), – Erzeugen eines einen Kontaktbereich (103) ringförmig umschließenden Isolationsgrabens (121) auf der Vorderseite (101) des Halbleitersubstrats (101), – Einbringen eines Isolationsmaterials (122) in den Isolationsgraben (121), – Erzeugen eines Kontaktlochs (111) auf der Vorderseite (101) des Halbleitersubstrats (100) durch Abtragen des im Kontaktbereich (103) vom Isolationsgraben (121) umschlossenen Halbleitermaterials (104), und – Abscheiden eines metallischen Materials (114) in dem Kontaktloch (111).