| 摘要 |
Beschrieben wird eine Halbleiterbauelementanordnung, die aufweist: einen Halbleiterkorper (100) mit einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht (110, 120); in der zweiten Halbleiterschicht (120): eine erste Bauelementzone (11), eine zweite Bauelementzone (13) und eine Sammelzone (12) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps; eine erste Kontaktzone (21), die zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der Sammelzone (12) angeordnet ist, die an einen Anschluss fur ein definiertes Vorspannungspotential angeschlossen ist und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht; eine zweite Kontaktzone (22), die zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der zweiten Bauelementzone (13) angeordnet ist, die elektrisch leitend an die Sammelzone (12) angeschlossen ist und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht; wenigstens eine dritte Kontaktzone (31), die elektrisch leitend an die Sammelzone (12) angeschlossen ist, die weiter zu der ersten Bauelementzone (11) beabstandet ist als die zweite Kontaktzone (22) und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht. |
