发明名称 Process for producing a pulse of high-density plasma for cleaning the surface of substrates in a vacuum chamber prior to application to them in the same coating chamber
摘要 Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gestosci przeznaczonej do czyszczenia powierzchni podlozy w procesach rozpylania katodowego w komorze prózniowej przed nanoszeniem na nie w tej komorze powlok, polegajacy na wywolaniu w gazie szlachetnym lub mieszaninie gazów szlachetnych, wprowadzanych do komory po uprzednim usunieciu z niej powietrza, wyladowan jarzeniowych o gestosci pradu 1-20 A/m2 przy uzyciu jako zródla zasilania zródla pradowego generujacego przebiegi pradowe bipolarne lub unipolarne o polarnosci ujemnej, charakteryzuje sie tym, ze gaz szlachetny lub mieszanine gazów szlachetnych podaje sie do komory impulsowo, w czasie 1-280 ms, kazdorazowo w ilosci (0,1-1,5)x10-6 mol/dm3 komory prózniowej do zaplonu plazmy, przy czestotliwosci impulsów podawania gazu szlachetnego lub mieszaniny gazów szlachetnych 1-1,7 Hz, przy ciaglym i równoczesnym usuwaniu atmosfery obróbczej dla obnizania cisnienia i jednoczesnie wywolywania zaniku plazmy.
申请公布号 PL399605(A1) 申请公布日期 2013.12.23
申请号 PL20120399605 申请日期 2012.06.21
申请人 POLITECHNIKA LODZKA 发明人 WENDLER BOGDAN;DORA JERZY;PROGALSKIJ IVAN;RYLSKI ADAM;PAWLAK WOJCIECH;NOLBRZAK PIOTR;MAKOWKA MARCIN;WLODARCZYK KATARZYNA;SIEMERS CARSTEN
分类号 C23C14/02;C23C14/34 主分类号 C23C14/02
代理机构 代理人
主权项
地址