| 摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest sposób wyznaczania absorpcji róznicowej podlozy z cienkimi warstwami antyrefleksyjnymi. pasywujacymi, plazmonowymi, zawierajacymi kropki kwantowe, druty kwantowe i supersieci. W pierwszym etapie sposobu mierzy sie powierzchniowy efekt fotowoltaiczny podloza w funkcji dlugosci fali. Nastepnie mierzy sie powierzchniowy efekt fotowoltaiczny podloza z naniesiona warstwa w funkcji tych samych dlugosci fali, po czym z zaleznosci (A), gdzie C jest stala wyrazona w (1/(volt m)) (zalezna od gestosci strumienia promieniowania ?, temperatury T, wspólczynnika odbicia R}, o wartosci okreslonej wzorem (npo(s+Dn/Ln)/(kT(1-R)?Ln/q, Vs1(?) zmierzony spektralny przebieg powierzchniowego napiecia fotoelektrycznego dla próbki bez warstwy, Vs(?) zmierzony spektralny przebieg powierzchniowego napiecia fotoelektrycznego dla próbki z warstwa. Ln zmierzona dlugosc drogi dyfuzji nosników ladunku, npo- koncentracja nosników nadmiarowych w pólprzewodniku, s - szybkosc rekombinacji powierzchniowej, Dn wspólczynnik dyfuzji elektronów w pólprzewodniku, wyznacza sie dla kazdej dlugosci fali wspólczynnik absorpcji róznicowej, którego wielkosc jest proporcjonalna do gestosci nosników generowanych w podlozu. |
