包含倒Ｔ型通道电晶体之多重装置型态及其方法

摘要

本发明提供一种用于制造一半导体装置(10)之方法。该方法包含形成一具有一鳍状翼(56)及一在该鳍状翼(56)之两侧面上延伸之横向半导体层(54)的第一电晶体(94)。该方法进一步包含形成一具有一鳍状翼(58)的第二电晶体(96)。该方法进一步包含形成一具有一鳍状翼(60)及一在该鳍状翼(60)之仅一侧面上延伸之横向半导体层(54)的第三电晶体(98)。