薄ＳＯＩ元件之制作

摘要

本发明系相关于一种方法，其包含利用包含以下之步骤而形成一构造：a)于一施给底材上形成一第一蚀刻阻挡层；b)于第一蚀刻阻挡层上形成一第二蚀刻阻挡层，其中第二蚀刻阻挡层的材质与第一蚀刻阻挡层的材质不同；c)于第二蚀刻阻挡层上形成一层薄矽膜；与将该构造键结至一目标底材上；且利用第一蚀刻阻挡层中所启始之分离而卸脱施给底材。