具有金属扩散区的第III-V族金氧半导体场效电晶体（ＭＯＳＦＥＴ）

摘要

一种第III-V族MOSFET，其包括与量子井区直接接触的金属源极区与汲极区。此种装置包含基板、于该基板上形成之III-V量子井层、于该量子井层上形成之III-V阻障层、于该阻障层上形成之闸极介电层、于该闸极介电层上形成之闸电极、与该量子井层和该阻障层二者相邻形成之第一金属侧壁内衬、与该量子井层和该阻障层二者相邻形成之第二金属侧壁内衬、与该第一金属侧壁内衬相邻之金属源极区，以及与该第二金属侧壁内衬相邻之金属汲极区。