发明名称 制造一氮化闸极介电层之方法
摘要 一种闸极介电层(14)系利用一氮化步骤(16)及一退火处理。随后,执行另一氮化步骤(20)及退火。第二氮化(20)及退火即造成最终形成之电晶体(60)之闸极漏电密度与电流驱动之间关系的改善。
申请公布号 TWI420601 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW095106163 申请日期 2006.02.23
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 林圣伍;保罗A 葛鲁多斯基;罗天英;欧鲁邦米O 艾迪杜杜;辛H 曾
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国