发明名称 掺杂奈米粒子半导体电荷传送层
摘要 本发明揭露一种用于制造一掺杂半导体传送层以用在一电子装置内之方法,其包含:在一胶状溶液内生长原位掺杂半导体奈米粒子;将该等原位掺杂半导体奈米粒子沈积于一表面上;及将该等沈积之原位掺杂半导体奈米粒子退火,使该有机配体蒸掉该等原位掺杂半导体奈米粒子之表面。
申请公布号 TWI420572 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW097103096 申请日期 2008.01.28
申请人 柯达公司 美国 发明人 凯司B 卡汉
分类号 H01L21/20;H01L21/02 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国