发明名称 制造发光元件的方法和因此制造的发光元件
摘要 为了提供一种制造具有AlGaInP发光区域之发光元件且由劈裂产生较少裂痕的方法,于切割或断裂过程中,在元件晶片背部表面之边缘部位上沿着一倾斜15°至30°且包括两端在内之角度而远离在(100)主要表面上定义为<110>方向之切割线角度参考方向进行发光元件晶圆之切割。
申请公布号 TWI420689 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW096107076 申请日期 2007.03.02
申请人 信越半导体股份有限公司 日本 发明人 池田均;中村秋夫
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 日本