半导体制程用之膜形成方法及设备

摘要

在被配置以选择性地供给含有矽烷族气体之第一处理气体，以及含有氮化气体之第二处理气体的处理场内，执行膜形成制程以在目标基板上形成氮化矽膜。预先设定该方法，以使膜形成制程系由主要阶段与在膜形成制程之初始或结束其中一者或二者时加以设定的辅助阶段所组成。主要阶段包含供给第二处理气体至处理场、同时藉由激发机构激发第二处理气体的激发时期。辅助阶段不包含供给第二处理气体至处理场、同时藉由激发机构激发第二处理气体的激发时期。