发明名称 |
半导体装置用基板之制造方法,半导体装置之制造方法,半导体装置用基板及半导体装置 |
摘要 |
本发明系以提供提高金属层与密封树脂之结合力,可形成上面平坦且横方向之大小统一之电极,亦可充分对应微细化之半导体装置用基板之制造方法、半导体装置之制造方法、半导体装置用基板、半导体装置为目的。;一种半导体装置用基板之制造方法,包含:于具有导电性之基板10之表面形成光阻层21之光阻形成步骤;具有透射区域37a与遮光区域32,于该透射区域与遮光区域之间使用具有透射率比该透射区域低、比该遮光区域高之中间透射区域33之光罩图案31之玻璃光罩30将前述光阻层曝光之曝光步骤;将前述光阻层显影,于前述基板上形成包含随接近前述基板而开口部外周变小之倾斜部25之侧面形状之光阻图案22之显影步骤;使用该光阻图案对前述基板之露出部分进行镀敷,形成包含随接近前述基板而外周变小之倾斜部44之侧面形状之金属层40之镀敷步骤;除去前述光阻图案之光阻除去步骤。 |
申请公布号 |
TWI420636 |
申请公布日期 |
2013.12.21 |
申请号 |
TW099104060 |
申请日期 |
2010.02.10 |
申请人 |
住友金属矿山股份有限公司 日本 |
发明人 |
滨田阳一郎;细枞茂 |
分类号 |
H01L23/492;H05K3/06;H01L21/60;H01L21/56 |
主分类号 |
H01L23/492 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |