发明名称 |
离子束照射装置及半导体装置之制造方法 |
摘要 |
一种离子束照射装置具有一场发射电子源10,该场发射电子源10系配置在该离子束2之路径的附近中及该场发射电子源10发射电子12。该场发射电子源10被放置在一方向上,沿着该方向从该电子源10所发射之电子12所形成之入射角及平行于该离子束2之行进方向的方向系在-15度至+45度之范围内(该离子束2之向内方向为+,以及向外方向为-)。 |
申请公布号 |
TWI420575 |
申请公布日期 |
2013.12.21 |
申请号 |
TW096121137 |
申请日期 |
2007.06.12 |
申请人 |
日新意旺机器股份有限公司 日本;国立大学法人京都大学 日本 |
发明人 |
酒井滋树;石川顺三;谭 尼可拉耶斯克;后藤康仁 |
分类号 |
H01L21/265;H01J37/317 |
主分类号 |
H01L21/265 |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |