发明名称 离子束照射装置及半导体装置之制造方法
摘要 一种离子束照射装置具有一场发射电子源10,该场发射电子源10系配置在该离子束2之路径的附近中及该场发射电子源10发射电子12。该场发射电子源10被放置在一方向上,沿着该方向从该电子源10所发射之电子12所形成之入射角及平行于该离子束2之行进方向的方向系在-15度至+45度之范围内(该离子束2之向内方向为+,以及向外方向为-)。
申请公布号 TWI420575 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW096121137 申请日期 2007.06.12
申请人 日新意旺机器股份有限公司 日本;国立大学法人京都大学 日本 发明人 酒井滋树;石川顺三;谭 尼可拉耶斯克;后藤康仁
分类号 H01L21/265;H01J37/317 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址 日本