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经营范围
发明名称
半导体装置
摘要
本发明之可挠性基板101具备:基材100,其系在一表面具有半导体晶片搭载区域103者;复数之内引线106,其系形成于上述之一表面上者;及跨接线111,其系接线于上述复数内引线106中之2条者。跨接线111之第1布线部121横穿半导体晶片搭载区域103。藉此,可提高气泡从半导体晶片搭载区域103内向半导体晶片搭载区域103外之排出效果。
申请公布号
TWI420639
申请公布日期
2013.12.21
申请号
TW101121964
申请日期
2008.01.04
申请人
夏普股份有限公司 日本
发明人
内藤克幸
分类号
H01L23/498
主分类号
H01L23/498
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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