发明名称 功率装置晶片级封装及其制法
摘要 本发明揭露一种晶片级封装及其制造方法和大功率积体电路器件,所述晶片级封装包括半导体晶片,具有电连接到所述大功率积体电路的电源汇流排阵列,以及多条多层凸点下金属化电源汇流排,互相平行设置并且穿越所述半导体晶片的整个长度,所述多条多层凸点下金属化电源汇流排电连接到所述电源汇流排阵列,并且还包括具有使互连球设置其上的几何形状的厚金属层。
申请公布号 TWI420620 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW096129303 申请日期 2007.08.08
申请人 茂力科技股份有限公司 美国 发明人 蒋航
分类号 H01L23/28;H01L21/60 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 美国