成像器转移闸极装置中之矽化物带

摘要

本发明揭示一种具有双功函数转移闸极装置之CMOS主动像素感测器(APS)单元结构及制造方法。该转移闸极装置包含一在基板上形成的介电层；及一在该介电层上形成的双功函数闸极导体层，该双功函数闸极导体层包含一第一导电率类型掺杂区及一对接的第二导电率类型掺杂区。该转移闸极装置定义一通道区，其中由一光感测装置累积的电荷被转移至一扩散区。一矽化物结构系形成于该双功函数闸极导体层顶部，用于电耦合该等第一及第二导电率类型掺杂区。在一具体实施例中，该矽化物接点之面积尺寸系小于该双功函数闸极导体层之一面积尺寸。矽化物带之存在防止二极体行为允许闸极之一或另一侧浮动至一不确定电压。