发明名称 |
可以提供在扩散区域之上的闸极接触之积体电路制造方法及积体电路 |
摘要 |
一种形成一积体电路68之方法,其在一基材26之一扩散区域28上提供一闸极电极36。一源极电极系藉由一源极局部互连导体30提供且一汲极电极系藉由一汲极局部互连导体32提供。一绝缘体层38系形成在此等电极上且各自之电极开口系穿过绝缘体层38形成以致提供至一金属1层46、48、50之电连接。用于电极开口之蚀刻制程受控制使得最大蚀刻深度系不足以贯穿绝缘层38而因此使在扩散区域28及闸极电极36间设置之闸极绝缘体层34短路。因此,闸极开口可定位在扩散区域28上。跟随有用于闸极开口及源极/汲极开口的分开蚀刻步骤之双图案化,可用以控制闸极开口深度且允许闸极接触定位于覆盖该扩散区域。 |
申请公布号 |
TWI420577 |
申请公布日期 |
2013.12.21 |
申请号 |
TW098124470 |
申请日期 |
2009.07.20 |
申请人 |
ARM股份有限公司 英国 |
发明人 |
叶立克格瑞格莫森;佛瑞德立克马林韦恩 |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/768;H01L23/52;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
英国 |