| 摘要 |
本发明揭示一种于半导体结构中应变及主动性掺杂物之光反射特征的新方法，其系开发用于半导体结构之物理特性之特征。该应变及主动性掺杂物特征技术之基本原理系透过在半导体表面感应的奈米级空间电荷场之效应来测量在半导体频带结构中的频带间转变附近发生且对应变及/或主动性掺杂物非常敏感之光反射信号。为达到此目的，本揭示内容包含一强度调变的帮浦雷射光束与一连续波探测雷射光束，其系共同入射聚焦于一半导体结构上。该帮浦雷射在NIR－VIS中提供约15 mW之光学功率。藉由在100 kHz至50 MHz范围内操作之一信号产生器来对该帮浦光进行振幅调变。该探测光束在VIS－UV中操作而约为5 mW，而且波长一般系接近该半导体结构中的较强光学吸收。该帮浦及探测系共同入射聚焦于样本上之一微米级的点。藉由使用一滤色片来收集探测镜面反射并移除帮浦波长光。将其余的探测光引导至一光二极体上并转换为一电信号。在此情况下探测交流信号包含半导体材料光学回应由帮浦感应的变化。对该光二极体输出执行相位敏感度测量并将该交流信号除以该直流反射信号。从而，将光反射资讯记录为探测波长、调变频率、帮浦强度以及帮浦及探测偏光之函数。 |
