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经营范围
发明名称
钽溅镀靶
摘要
一种钽溅镀靶,其特征在于,含有1massppm以上、100massppm以下之钨作为必要成分,不计钨及气体成分之纯度在99.998%以上。如上述之钽溅镀靶,其进一步含有0~100massppm(惟,不包括0massppm)之钼及/或铌,钨、钼、铌的合计含量在1massppm以上、150massppm以下,不计钨、钼、铌及气体成分之纯度在99.998%以上。得到具备均一微细之组织、电浆稳定、膜之均匀性(uniformity)优异之高纯度钽溅镀靶。
申请公布号
TWI419986
申请公布日期
2013.12.21
申请号
TW099126718
申请日期
2010.08.11
申请人
JX日鑛日石金属股份有限公司 日本
发明人
福嶋笃志;小田国博;仙田真一郎
分类号
C23C14/34;C22C27/02
主分类号
C23C14/34
代理机构
代理人
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址
日本
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