发明名称 画素结构及其制造方法
摘要 一种画素结构的制造方法。首先,提供一具有多个画素区域的基板。接着,于基板上形成共用电极,其环绕于各画素区域的周围。然后,于共用电极上形成储存电容电极。继之,形成第一保护层,覆盖储存电容电极与共用电极。再来,于各画素区域中形成扫描线以及闸极。接着,形成闸绝缘层以及闸绝缘层上的半导体层。再来,于各画素区域中形成资料线、源极与汲极。接着,于基板上形成第二保护层,并于汲极上方的第二保护层中形成接触窗开口。然后,于各画素区域中形成画素电极,而画素电极是藉由接触窗开口与汲极电性连接。
申请公布号 TWI420210 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW098126119 申请日期 2009.08.03
申请人 中华映管股份有限公司 桃园县八德市和平路1127号 发明人 刘梦骐
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 桃园县八德市和平路1127号