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发明名称
抛光氮化铝之方法
摘要
本发明提供一种抛光氮化铝基板之方法。该方法包含以包含研磨剂(例如,胶态二氧化矽)、氧化剂(例如,过氧化氢)及水性载剂之硷性水性抛光组合物研磨氮化铝基板之表面。本发明之方法提供相较于在抛光液中不使用氧化剂之知方法有实质改良之抛光速率。
申请公布号
TWI419948
申请公布日期
2013.12.21
申请号
TW096143285
申请日期
2007.11.15
申请人
卡博特微电子公司 美国
发明人
凯文 摩根伯格
分类号
C09G1/02;H01L21/304
主分类号
C09G1/02
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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