| 摘要 |
<p>(해결 수단) InGaZnO(0.6＜X＜0.8) 로 이루어지는 활성층 (12) 과, 상기 활성층을 개재하여 도통 가능한 소스 전극 (16A) 및 드레인 전극 (16B) 과, 상기 활성층, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극을 덮는 절연층 (18) 과, 상기 절연층을 개재하여 상기 활성층에 대향 배치된 게이트 전극 (20) 과, 상기 활성층과 상기 절연층 사이에 개재하는 산화 인듐을 함유하는 층 (14) 을 갖는 것을 특징으로 하는 탑 게이트형의 전계 효과형 트랜지스터 (22). 바람직하게는, 상기 산화 인듐은 활성층으로부터 석출된 것이다.</p> |
