| 摘要 |
1. Полупроводниковый элемент, содержащий:органический полупроводниковый слой;электрод, расположенный на упомянутом органическом полупроводниковом слое в контакте с упомянутым органическим полупроводниковым слоем; ислой межсоединений, выполненный отдельно от упомянутого электрода и электрически соединенный с упомянутым электродом.2. Полупроводниковый элемент по п.1,включающий в себяупомянутый органический полупроводниковый слой,электрод затвора,пару электродов исток-сток в качестве упомянутого электрода, иупомянутый слой межсоединений, при этомполупроводниковый элемент выполнен в виде тонкопленочного транзистора.3. Полупроводниковый элемент по п.2, дополнительно содержащий:изолирующую пленку затвора, изащитную пленку,при этом упомянутый электрод затвора, упомянутая изолирующая пленка затвора, упомянутый органический полупроводниковый слой, упомянутые электроды исток-сток, упомянутая защитная пленка и упомянутый слой межсоединений уложены слоями на подложке в следующем порядке: упомянутый электрод затвора, упомянутая изолирующая пленка затвора, упомянутый органический полупроводниковый слой, упомянутые электроды исток-сток, упомянутая защитная пленка и упомянутый слой межсоединений.4. Полупроводниковый элемент по п.3,в котором упомянутый органический полупроводниковый слой имеет выступающие участки в виде областей, перекрывающих упомянутые электроды исток-сток, расположенные вне области формирования упомянутой защитной пленки.5. Полупроводниковый элемент по п.3,в котором упомянутая защитная пленка содержит углубленные участки в виде областей с выемкой, аупомянутый органический полупро |
