发明名称 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH CATHODE PROVIDING A UNIFORM DISTRIBUTION OF ETCH RATE
摘要 <p>직사각형 또는 정사각형 마스크와 같은 작업편(workpiece)를 에칭하기 위한 플라즈마 반응기는 천장 및 측벽을 가지는 진공 챔버, 그리고 작업편을 지지하기 위한 표면을 가지는 캐소드를 포함하는 상기 챔버 내의 작업편 지지 받침대를 포함하며, 상기 표면은 복수의 각각의 존들을 포함하며, 표면의 각각의 존들은 상이한 전기적인 특성들의 각각의 물질들로 형성된다. 존들은 웨이퍼 지지 받침대의 대칭축에 대하여 동심원으로 배열될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101343948(B1) 申请公布日期 2013.12.20
申请号 KR20070072685 申请日期 2007.07.20
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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