Thin Film Transistor Using Boron-Doped Oxide Semiconductor Thin Film and Method for Preparing the Same
摘要
<p>본 발명은 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막이 적용된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 채널층으로 적용한 박막 트랜지스터는 전기적 특성을 획기적으로 향상시킬 수 있으며, 고온에서의 안정성을 크게 증가시킨다.</p>
