发明名称 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
摘要 <p>배기의 치우침이 없고, 또한 메인터넌스가 용이하게 되도록 기판 지지대를 지지하는 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공한다. 그로 인해, 플라즈마 CVD 장치(10)에 있어서, 대향하는 진공 챔버(11)의 측벽(11a)을 관통하는 관통 구멍(12c)을 내부에 갖고, 진공 챔버(11)의 중심을 지나서 횡단하는 지지 빔(12)을 진공 챔버(11)와 일체로 형성하고, 지지 빔(12)의 상면의 중앙부에, 기판 지지대(13)를 설치하는 상면 개구부(12a)를 형성하고, 진공측과 대기측을 시일하는 제1 시일 부재를 통해 상면 개구부(12a)에 원통 형상의 기판 지지대(13)를 설치하였다.</p>
申请公布号 KR101343162(B1) 申请公布日期 2013.12.19
申请号 KR20117030127 申请日期 2010.05.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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