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Ein Verfahren zum Ausbilden einer dual-damaszenen Metallkontaktstruktur für eine Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst das Ausbilden einer Schicht eines Dielektrikums mit kleinem k, Ausbilden von Durchkontaktierungen durch die dielektrische Schicht mit kleinem k, Abscheiden einer Opferschicht, Ausbilden von Gräben durch die Opferschicht, Füllen der Durchkontaktierungen und Gräben mit Metall, Entfernen der Opferschicht, anschließendes Abscheiden einer dielektrischen Schicht mit extrem kleinem k zum Füllen des Raumes zwischen den Gräben. Das Verfahren ermöglicht das Ausbilden einer dielektrischen Schicht mit extrem kleinem k für die zweite Ebene der dualen damaszenen Struktur, während sie Schäden an dieser Schicht durch solche Prozesse wie Grabenätzen und Grabenmetallabscheidung vermeidet. Das Verfahren hat den weiteren Vorteil des Vermeidens einer Ätzstoppschicht zwischen dem Dielektrikum auf Durchkontaktierungsebene und dem Dielektrikum auf Grabenebene. |
