发明名称 TECHNIQUE FOR LOW-TEMPERATURE ION IMPLANTATION
摘要 <p>저온 이온 주입을 위한 기술이 개시된다. 일 실시예에 있어서, 상기 기술은 저온 이온 주입 장치로서 실현될 수 있다. 상기 장치는 이온 주입기의 엔드 스테이션에 인접하게 위치하는 예비-냉각 스테이션을 포함할 수 있다. 상기 장치는 또한 상기 예비-냉각 스테이션 내의 냉각 메커니즘을 포함할 수 있다. 상기 장치는 또한 상기 예비-냉각 스테이션 및 상기 엔드 스테이션에 연결된 로딩 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 장치는 또한 상기 로딩 어셈블리 및 상기 냉각 메커니즘과 연결되어 웨이퍼를 상기 예비-냉각 스테이션으로 로딩, 상기 웨이퍼를 기 설정된 온도 범위로 냉각, 및 상기 냉각된 웨이퍼를 이온 주입 공정을 받게 되는 상기 엔드 스테이션으로 로딩하는 것을 조정하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101343361(B1) 申请公布日期 2013.12.19
申请号 KR20097005066 申请日期 2007.07.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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