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Halbleiterstruktur, aufweisend: einen Halbleiterchip (100) mit einer obersten Metallschicht (130), die eine erste Metallleitung (130A) und eine zweite Metallleitung (130B) aufweist; eine über der obersten Metallschicht (130) angeordnete dielektrische Schicht (210, 140, 140'); und eine über der dielektrischen Schicht (210, 140, 140') angeordnete leitende Schicht (230), wobei sich die dielektrische Schicht (210, 140, 140') zwischen der obersten Metallschicht (130) und der leitenden Schicht (230) befindet, und wobei sich ein Abschnitt der leitenden Schicht (230) seitlich außerhalb der seitlichen Grenze des Halbleiterchips (100) erstreckt; wobei ein erster Abschnitt (232A) der leitenden Schicht (230) über der dielektrischen Schicht (210, 140, 140') und über der ersten Metallleitung (130A) angeordnet ist und mittels der dielektrischen Schicht (210, 140, 140') elektrisch von der ersten Metallleitung (130A) isoliert ist und eine erste leitende Platte eines Kondensators oder kapazitiven Elements bildet; wobei der Teil der dielektrischen Schicht (210, 140, 140'), der die erste Metallleitung (130A) von dem ersten Abschnitt (232A) der leitenden Schicht (230) elektrisch isoliert, das Dielektrikum des Kondensators oder kapazitiven Elements bildet und eine Dicke von weniger als 500 nm aufweist; wobei mindestens ein Abschnitt der ersten Metallleitung (130A) eine zweite leitende Platte des Kondensators oder kapazitiven Elements bildet; wobei ein zweiter Abschnitt (232B) der leitenden Schicht (230) über der zweiten Metallleitung (130B) angeordnet ist und durch eine Öffnung der dielektrischen Schicht (210, 140, 140') hindurch mit der zweiten Metallleitung (130B) einen elektrischen Kontakt herstellt. |
