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Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Siliziumsubstrat (110); eine auf dem Siliziumsubstrat (110) angeordnete Nitridnukleationsschicht (120); zumindest eine auf der Nitridnukleationsschicht (120) angeordnete Übergitterschicht (130); und zumindest eine auf der Übergitterschicht (130) angeordnete auf Galliumnitrid basierende Halbleiterschicht (160). Die zumindest eine Übergitterschicht (130) enthält einen Stapel von zusammengesetzten Schichten (141, 142, 143, 144), wobei jede zusammengesetzte Schicht eine erste Schicht (1411, 1421, 1431, 1441) und eine zweite Schicht enthält (1413, 1423, 1433, 1443), sodass jede der zusammengesetzten Schichten eine Mehrzahl von Nitridhalbleiterschichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen besitzt, wobei zumindest eine der Mehrzahl von Nitridhalbleiterschichten eine unterschiedliche Dicke basierend auf einer Position der zumindest einen Nitridhalbleiterschicht innerhalb des Stapels besitzt, und zumindest eine Spannungssteuerschicht (150) enthält mit einer Dicke größer als eine kritische Dicke für pseudomorphes Wachstum. |
