| 摘要 |
<p>개선된 동작 특성들 및 신뢰도로 반도체 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 비정질 반도체막은 기판 위에 형성되고, 결정화를 촉진시키는 금속 원소로 도핑되고, 결정 반도체막을 형성하기 위해 제 1 열 처리에 의해 결정화되며; 결정 반도체막 위에 형성된 제 1 산화막을 제거되고, 제 2 산화막이 형성되며; 그 위에 형성된 제 2 산화막을 갖는 결정 반도체막이 제 1 레이저광으로 조사되고; 희기체 원소(rare gas element)를 함유한 반도체막이 제 2 산화막 위에 형성되며; 결정 반도체막 내에 함유된 상기 금속 원소가 제 2 열 처리에 의해 희기체 원소를 함유한 반도체막으로 게터링되고; 희기체 원소를 함유한 반도체막 및 제 2 산화막이 제거되며; 결정 반도체막이 산소를 함유한 분위기에서 제 2 레이저광으로 조사된다.</p> |
